除激光切割機中的LCVD技術(shù)之外，還有其他幾種方法可用于薄膜沉積，如前述的常規(guī)CVD、分子束外延(MBE)、金屬激光切割機一有機化學氣相沉積(MOCVD)和等離子輔助沉積技術(shù)。常規(guī)激光切割CVD技術(shù)需加熱整個基材，其間反應(yīng)氣體或蒸氣流向基材表面，發(fā)生化學反應(yīng)而沉積薄膜。該過程非常緩慢（薄膜生長速率為100~1000A/min）.而且因只有被加熱的表面用于薄膜沉積，激光切割機中CVD能源利用率很低。
另外，CVD激光切割技術(shù)過程的沉積溫度可高達1500K，這影響半導體摻雜物的擴散系數(shù)繼而影響半導體薄膜的質(zhì)量。此外，激光切割CVD腔體中可能存在的污染物或晶片材料也可向高溫下生長的薄膜中擴散。由于沉積復(fù)合半導體薄膜的不同供體的揮發(fā)物質(zhì)不同，其激光切割機在高溫下薄膜沉積中將蒸發(fā)的量亦不同，因而會影響薄膜的性能。常規(guī)激光切割CVD方法在高溫下對晶片產(chǎn)生的物理損傷也會引起器件缺陷。另外，激光切割機長時高溫暴露幾乎對所有基材材料都是有害的。例如，用于航空航天的鈦合金由于晶粒長大，性能會大為下降。激光切割機用于汽車工業(yè)的鐵合金也會因晶粒長大和晶界擴散而產(chǎn)生性能降低。
MBE技術(shù)是激光切割技術(shù)中利用供體分子束或混同原子束撞擊被加熱的某單晶的表面而使薄膜外延生長，化學反應(yīng)只發(fā)生在基材表面.MBE激光切割機技術(shù)主要用于制作半導體和半導體器件.MBE激光切割技術(shù)可以精確控制外延薄膜的生長和成分。但是，該過程非常慢，薄膜生長速率僅為100~200A/min等：其他材料薄膜：Bi203.Ca0、CaC03、Cu0、Sr0、SrC03、聚合物、TiB2、硅氧烷薄膜等。
激光切割技術(shù)化學氣相沉積的優(yōu)越性
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